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晶圓清洗：晶圓清洗是超純水使用量最大的環(huán)節(jié)之一。每一塊晶圓在多個制造步驟中都需要進行清洗，以去除表面上的顆粒物、化學殘留物和其他污染物。這些清洗步驟包括初始清洗、工藝中間清洗和最終清洗等，確保晶圓在各個工藝環(huán)節(jié)之間保持潔凈。

蝕刻后清洗：在蝕刻過程中，化學物質會選擇性地去除晶圓上的特定材料，之后的清洗步驟用超純水沖洗蝕刻殘留物，以防止任何殘余物質影響下一步工藝。

光刻膠去除：光刻工藝中，光刻膠用于掩膜和圖案轉移。在曝光和顯影之后，需要去除光刻膠，通常采用化學劑加超純水清洗，以確保表面沒有任何殘留。

化學機械拋光（CMP）后的清洗：CMP 工藝用于平整晶圓表面，使其達到納米級的平整度。拋光后，超純水用于沖洗拋光液和拋光產生的殘留物，確保表面不受污染。

冷卻和稀釋：在某些化學工藝中，超純水用于冷卻反應器或稀釋高濃度的化學溶液，防止工藝設備因高溫或高濃度化學品而受損

半導體越先進，水消耗強度越大,對超純水設備的技術要求就很高。河南萬達環(huán)保工程有限公司一家專注水處理設備的源頭工廠， 在選擇使用反滲透設備時，一定要按規(guī)操作，通過上文反滲透設備的使用優(yōu)點和注意事項的簡單介紹，如果你還存在疑問，你可以拔打我們的24   小時熱線，聯(lián)系我們時請告知在百度上看到的，就會有專業(yè)的水處理工程師根據(jù)你的需求制定適合你用水的水處理解決方案。